Тестирование

Дисциплина: Физические основы электроники

Уважаемые студенты!

Обращаем Ваше внимание на то, что процесс тестирования по дисциплине ограничивается временным интервалом - 20 минут. По истечении указанного времени тестирование завершается автоматически, аналогично нажатию кнопки "Завершить тестирование". Контролировать оставшееся время Вы можете в строке состояния интернет-обозревателя.

Вопрос № 1. Удельное сопротивление диэлектрика равно:

Вопрос № 2. Электрическая ёмкость p-n перехода увеличивается…

С увеличением прямого н6апряжения;

С увеличением обратного напряжения;

С уменьшением прямого напряжения;

С уменьшением обратного напряжения;

Электрическая ёмкость p-n перехода не изменяется;

Вопрос № 3. Явление возникновения электрической поляризации диэлектриков при их деформации?

Ферроэлектрический эффект

Пьезоэлектрический эффект

Сегнетоэлектрический эффект

Поляризация.

Фотоэлектретический эффект

Вопрос № 4. В каких кристаллах количество атомов или молекул в структурной единице достигает

кварцевых

кремниевых

белковых

германиевых

арсенидгалиевых

Вопрос № 5. Процесс, при котором электрон восстанавливает ковалентную связь?

генерацией

рекомбинацией

пробой

обратной связью

правильный ответ А и В

Вопрос № 6. Перемещение (дрейф) дырок в валентной зоне со средней скоростью vp создает в полупроводнике дырочный ток, плотность которого

j=qnv

jn=qnvp

jp=qnvp

j=qn

jn=nvp

Вопрос № 7. Если сопротивление запирающего слоя обозначить rд, то кристалл полупроводника с запирающим слоем можно представить в виде последовательного соединения

диодов

транзисторов

конденсаторов

резисторов

индуктивностей

Вопрос № 8. Полупроводниковый диод, функционирование которого построено на изменение ёмкости p-n перехода в результате изменения величины обратного напряжения:

Варикап;

Туннельный диод;

Импульсный диод;

Точечный диод;

Плоскостной диод;

Вопрос № 9. Явление смещения электрических зарядов в диэлектрике под действием внешнего электрического поля?

Пьезоэлектрический эффект

Сегнетоэлектрический эффект

Поляризация.

Фотоэлектретический эффект

Ферроэлектрический эффект

Вопрос № 10. Электронный прибор основан на явлении действия одного р-n – перехода?

Транзистор

Диод

Коллектор

База

Эмиттер

Вопрос № 11. Диффузионное движение носителей зарядов обусловливает прохождение диффузионного тока электронов и дырок, плотности которых определяются из соотношений

jn диф=qDndn(x)dx

jp диф= -qDpdp(x)dx

jn диф=qDndn(x) dx ) jp диф= -qDpdp(x)dx

j=qDdn(x) dx

j=qDdp(x) dx

Вопрос № 12. Зарядная емкость определяется изменением

компенсированного заряда ионов

некомпенсированного заряда ионов

компенсированного заряда электрона

некомпенсированного заряда электрона

правильный ответ А и С

Вопрос № 13. Сколько типов носителей заряда используются в биполярных транзисторах?

4

2

1

3

5

Вопрос № 14. Туннельный пробой для германия возможен при достижения напряженности электрического поля

Вопрос № 15. Зарядная емкость определяется изменением

компенсированного заряда ионов

некомпенсированного заряда ионов

компенсированного заряда электрона

некомпенсированного заряда электрона

правильный ответ А и С

Вопрос № 16. Как называют диэлектрики, у которых постоянно поляризованное состояние, сохраняющееся длительно, образовано облучением?

Ферроэлектрики

Пьезоэлектрики

Сегнетоэлектрики

Электреты

Фотоэлектреты

Вопрос № 17. К операциям симметрии относятся

преобразование напряжения

образование кристаллической решётки

преобразование атомов

трансляционные преобразования

образование атомной решётки

Вопрос № 18. решетка+базис=

кристаллическая структура

атомная структура

молекулярная структура

ионная структура

правильный ответ А и С

Вопрос № 19. С помощью какой формулы определяется подвижность зарядов?

Вопрос № 20. Как называется проводящий слой, который находится между диффузионными областями истока и стока полевого транзистора?

Канал

Исток

Затвор

Сток

Подложка

Вопрос № 21. p-n переход образуется на границе:

Двух полупроводников – германия и кремния, не содержащих примесей;

Двух полупроводников – германия и кремния, содержащих примеси разных типов;

Двух областей одного полупроводника, но с разными типами примесей в каждой области;

Двух областей одного полупроводника и с одинаковыми типами примесей в каждой области;

Двух областей, одна из которых легирована примесью;

Вопрос № 22. Линейный дефект кристалла, приводящий к сдвигу атомных плоскостей в решетке?

Поляризация

Дислония

Ионизация

Вакансия

Нет ответа

Вопрос № 23. В основе функционирования этого прибора лежит совместная работа светодиода и фотодиода.

Симмистр;

Тиристор;

Динистор;

Оптопара;

Варикап;

Вопрос № 24. Собственная проводимость полупроводников обусловлена:

Наличием в полупроводнике акцепторных примесей;

Наличием в полупроводнике донорных примесей;

Тепловыми колебаниями кристаллической решётки;

Наличием большого числа свободных электронов в полупроводнике;

Наличием большого числа свободных дырок в полупроводнике;

Вопрос № 25. Расстояние между положительным ионом и ближайшим отрицательным ионом в кристалле хлористого натрия равно

Вопрос № 26. При включении p-n перехода в прямом направлении в результате инжекции возникает

обратный дрейфовый ток

прямой диффузионный ток

внешнее напряжение

обратный диффузионный ток

прямой дрейфовый ток

Вопрос № 27. Атомы инертных газов имеют замкнутые электронные оболочки и распределение заряда в них имеет …….

сферическую форму

форму сферической симметрии

форму кристалла

форму ядра

форму элепса

Вопрос № 28. Какие твердые тела обладают анизотропией их свойств?

В кристаллических веществах

В аморфных веществах

В жидких веществах

В металлах

В газах

Вопрос № 29. Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n-типа?

Электроны

Положительные ионы

Отрицательные ионы

Дырки

Позитроны

Вопрос № 30. Исследования показывают, что подвижности электронов